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    TURCK传感器，德国TURCK传感器，德国TURCK传感器，德国TURCK传感器

    更新时间： 2012-10-16　　点击次数： 2043次

    TURCK传感器，德国TURCK传感器，德国TURCK传感器，德国TURCK传感器/39529829/39529830：单荣兵
    图尔克德国TURCK流量传感器 目前，的传感器市场在不断变化的创新之中呈现出快速增长的趋势。有关专家指出，传感器域的主要技术将在现有基础上予以延伸和提高
    图尔克公司股东Ulrich Turck和董事总Christian Wolf热情接待了部长一行，在图尔克（天津）传感器有限公司副总裁许庆星的陪同下，苗圩部长仔细观看了包括图尔克RFID系列和BLOCK I/O�？榈茸芟卟�、角度传感器和直线位移等传感器产品、和接插件、接口产品等公司的产品及技术应用。TURCK传感器，德国TURCK传感器，德国TURCK传感器，德国TURCK传感器/39529829/39529830：单荣兵
    图尔克拥有适合各种工业应用的RFID系统，其中HF系统包括集成温度传感器的RFID Sensor Tag，它扩展了RFID系统的效能，用户可以便捷地通过它来读取目标区域温度值；还包括可安装在金属表面的载码体，它可以不受金属干扰，完成正常读写操作，其多样的封装方式可以为不同的客户提供不同的解决方案。另外，全新的UHF系统的工作频率是840,5…844,5 MHz 或 920,5…924,5 MHz，满足ISO 18000-6C/Gen 2通讯标准。与HF产品相比，它的zui大读写距离可以达到3米，zui多可以接16个读写头。图尔克HF和UHF产品同样支持Profibus DP, Devicenet, Modbus-TCP, PROFINET IO, EtherNet/IP等协议以及可编程网关，并且可在同一个读写范围内一起工作，具有*的优势。
    图尔克凭借世界*的技术和遍布的网络，一直保持着稳定的增长态势。自1994年进入特点市场至今，图尔克特点公司历经18年的稳健发展，已成为集、销售、系统集成、工程为一体的亚太地区及销售中心，成功为过10000家不业的特点客户提供的产品和，令越来越多的特点用户略到图尔克在工业自动化域的科技实力。TURCK传感器，德国TURCK传感器，德国TURCK传感器，德国TURCK传感器/39529829/39529830：单荣兵
       图尔克将不断加强与客户交流和沟通，从而全面了解在客户实现目标的过程中，图尔克将如何更好地支持其事业的成功。总的讲话进一步诠释了图尔克特点公司能够健康发展的内涵， 于特点市场，zui大程度的满足客户需求，为客户提供*解决方案，才能长盛不衰。
    光学通路和光电元件三部分组成。由光通量对光电元件的作用原理不同所制成的光学测控系统是多种多样的,按光电元件（光学测控系统）输出量性质可分二类,即模拟式光电传感器和脉冲（开关）式光电传感器.模拟式光电传感器是将被测量转换 光电传感器成连续变化的光电流,它与被测量间呈单值关系.模拟式光电传感器按被测量（检测目标物体）方法可分为透射（吸收）式,漫反射式,遮光式（光束阻档）三大类.所谓透射式是指被测物体放在光路中,恒光源发出的光能量穿过被测物,部份被吸收后,透射光投射到光电元件上;所谓漫反射式是指恒光源发出的光投射到被测物上,再从被测物体表面反射后投射到光电元件上;所谓遮光式是指当光源发出的光通量经被测物光遮其中一部份,使投射刭光电元件上的光通量改变,改变的程度与被测物体在光路位置有关. 光敏二极管是zui常见的光传感器。光敏二极管的外型与一般二极管一样，只是它的管壳上开有一个嵌着玻璃的窗口，以便于光线射入，为增加受光面积，PN结的面积做得较大，光敏二极管工作在反向偏置的工作状态下，并与负载电阻相串联，当无光照时，它与普通二极管一样，反向电流很小（＜µA），称为光敏二极管的暗电流；当有光照时，载流子被激发，产生电子-空穴，称为光电 光电传感器载流子。在外电场的作用下，光电载流子参于导电，形成比暗电流大得多的反向电流，该反向电流称为光电流。光电流的大小与光照强度成正比，于是在负载电阻上就能得到随光照强度变化而变化的电信号。 光敏三极管除了具有光敏二极管能将光信号转换成电信号的功能外，还有对电信号放大的功能。光敏三管的外型与一般三极管相差不大，一般光敏三极管只引出两个极——发射极和集电极，基极不引出，管壳同样开窗口，以便光线射入。为增大光照，基区面积做得很大，发射区较小，入射光主要被基区吸收。工作时集电结反偏，发射结正偏。在无光照时管子流过的电流为暗电流Iceo=（1+β）Icbo（很小），比一般三极管的穿透电流还��；当有光照时，激发大量的电子-空穴对，使得基极产生的电流Ib增大，此刻流过管子的电流称为光电流，集电极电流Ic=（1+β）Ib

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